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Power Integrations推出2200V商用PowiGaN器件，基于已验证的2300V物理击穿能力与cascode架构，突破横向GaN电压瓶颈，使其正式进入800V至1500V DC-DC主功率路径，开始挤压SiC在中高压（1200V–2200V）领域的应用空间，尤其面向AI数据中心1500V配电架构和高功率密度需求。
AI基础设施建设正面临电力供应瓶颈，算力竞争实质演变为能源竞赛。文章聚焦数据中心在电力获取（如表后供电、燃气轮机、SOFC）、融资结构（多层次SPV、GPU债券）、地理布局（日本枢纽地位）及技术挑战（内存、光器件、软件优化）等方面的现实困境与创新解法，强调能源侧和系统级协同成为关键突破口。
